Une méthode issue des travaux de chercheurs du Massachusetts Institute of Technology (MIT) et l’Université de technologie de Singapour (SUTD) pourrait conduire  à des progrès inédits en termes de vitesse et d’efficacité.

Dans le cadre d’une étude, les chercheurs Desmond Loke, Griffin Clausen, Jacqueline Ohmura, Tow-Chong Chong et Angela Belcher ont mis au point une méthode permettant de créer « génétiquement » un meilleur type de mémoire informatique, grâce à l’utilisation d’un véritable (pas un virus informatique !) virus.

Ce procédé permettant d’accélérer la vitesse des ordinateurs, consiste à réduire les retards, généralement de l’ordre de la milliseconde, liés au transfert et au stockage des informations entre une puce de mémoire vive (RAM) traditionnelle, qui est rapide mais coûteuse et volatile et d’un disque dur (qui n’est pas volatile, mais relativement lent).

Le remplacement de ce système de mémoire en deux parties par un seul type de stockage réduirait ce délai à environ dix nanosecondes.

C’est là qu’intervient la mémoire à changement de phase : elle peut être aussi rapide qu’une puce RAM et peut contenir encore plus de capacité de stockage qu’un disque dur.

Une technologie qui utilise un matériau capable de basculer de manière réversible entre des états amorphes et cristallins.

Mais, jusqu’ici, son utilisation était confrontée à des contraintes considérables.

En effet, un matériau de type binaire, par exemple l’antimoniure de gallium, pourrait être utilisé pour créer une meilleure version de la mémoire à changement de phase, mais l’utilisation de ce matériau peut augmenter la consommation d’énergie, et peut subir une séparation de matière à environ 620 kelvins (K), soit environ 350 °C.

Il est donc compliqué d’incorporer un matériau de type binaire dans les circuits intégrés actuels, car il peut se séparer à des températures de fabrication courantes d’environ 670 K (400 °C).

« Notre équipe de recherche a trouvé un moyen de surmonter cet obstacle en utilisant une technologie à fil minuscule », explique Desmond Loke, l’un des chercheurs.

Le processus traditionnel de fabrication de fils minuscules peut atteindre une température d’environ 720 K (450 °C), une température qui provoque la séparation d’un matériau de type binaire.

Mais, pour la toute première fois de l’histoire, les chercheurs ont démontré qu’en utilisant le phage M13, un virus dont les plasmides sont utilisés pour la recombinaison d’ADN, et qui n’affecte pas l’Homme, il était possible de réaliser, à basse température, une construction de minuscules fils d’oxyde de germanium-étain et de la mémoire.

Ceci ouvre ainsi la voie à « l’élimination nécessaire des retards millisecondes dus aux stockages et aux transferts, pour faire progresser l’informatique moderne », indique Desmond Loke.

Grâce à cette découverte, il se pourrait qu’une  toute nouvelle ère de superordinateurs s’ouvre devant nous !